| Vizitorët online në arkiv:
vizitorë |
|
| » Samsung krijon ēipin e parė DDR2 DRAM me procesin 50 nm |
| Postuar mė datėn: 2006-10-27 13:55:30 nga Arlind Nushi :: Kategoria: Tech-Info |
| » Opcionet për artikullin |
|
Samsung Electronics lajmėroi se ka zhvilluar ēipin e parė DDR2 DRAM me procesin 50 nm. Kjo arritje do ta rrit efikasitetin e prodhimit pėr 55%, mbasi qė do tė kalon nga procesi 60 nm. Ēipi i ri 1 Gb DRAM pėrmban teknologji tė avancuara si transistorin 3D dhe teknologjinė di-elektrike shumė-shtresore (Ang: multi-layer dielectric), qė e pėrmirėson kapacitetin pėr ruajtje. |
|
Kyēe nė efikastitetin e procesit tė ri 50 nm ėshtė pėrdorimi selektiv i transistorit epitaksial rrites (SEG Tr). Ky transistor 3D pėrmban kanal mė tė gjerė pėr elektrone, duke e optimizuar shpejtėsinė e ēdo ēipi duke ulur konsumimin elektrik dhe rritur shpejtėsinė.
Tani, me proceset e tanishme, vazhdimi i zvogelimit (miniaturizimit) pengohet nga sipėrfaqja e kufizuar brenda pllakes sė silikonit, gjė qė pengon mbajtjen dhe sigurimin e elektroneve. Duke i shtuar pėrmirėsimet e procesit 50 nm, transistorit SEG iu shtohet shtresa di-elektrike shumė-shtresore (ZrO2/Al2O3/ZrO2) pėr ta rregulluar dobėsinė elektrike. Gjithashtu, kjo shtresė pėrmban mė shumė elektrone, duke pėrmirėsuar kapacitetin e ruajtjes.
Pėr tė arritur deri te prodhimi masiv i DRAM-it mė efikas dhe tė avancuar deri tani ėshtė kaluar nėpėr tri gjenerata tė teknologjive DRAM (70 nm, 60 nm dhe 50 nm).
PR-Tech |
| --------- |
| • TITUJ TĖ NGJASHËM |
|
Copyright © 2000-2008 DERVINA.COM - Tė gjitha tė drejtat e rezervuara
Arkivi u punua nga A.Nushi - Webmaster |
|